Фотоэффект в полупроводнике
  Так как при обычных условиях в полупроводниках очень мало свободных носителей  зарядов (электронов и дырок), полупроводники имеют большое удельное сопротивление. Однако в полупроводниках валентные электроны слабо связаны с атомами и, получив избыточную энергию, могут оторваться от атома и перейти в свободное состояние.  При облучении полупроводника связанные электроны поглощают проникающие в него кванты и переходят в свободное состояние.
  При этом в случае ионизации атома примеси образуются свободный электрон и дырка, а при ионизации атома самого полупроводника генерируются пары электрон - дырка. Таким образом, облучение полупроводника ведет  к увеличению концентрации свободных носителей зарядов в нем, следствием чего и является уменьшение его удельного сопротивления. Генерация свободных носителей зарядов в полупроводнике, происходящая вследствии его облучения, называется внутренним фотоэффектом.
  Следует отметить, что существует принципиальное различие между внешним и внутренним фотоэффектами. Оно заключается  в том, что при внешнем фотоэффекте электроны вырываются из вещества, а при внутреннем - остаются внутри него. Так как для генерации свободных носителей зарядов в полупроводнике при внутреннем эффекте нужна меньшая энергия, чем для вырывания электронов из вещества, внутренний фотоэффект можно вызвать более длинноволновым излучением, чем внешний. У некоторых полупроводников внутренний фотоэффект создается инфракрасными лучами, что имеет важное значение для практики. Дополнительная проводимость полупроводника, обусловленная облучением, называется фотопроводимостью.
  Внутренний фотоэффект используется при устройстве фотосопротивлений и фотоэлементов.
©  2011 Диоды и стабилитроны